高性能不锈钢容器专为半导体制造工艺而设计，提供卓越的耐腐蚀性和耐久性，确保在极端条件下的可靠性和安全性。

适用于化学气相沉积（CVD）、原子层沉积（ALD）、刻蚀、清洗等关键工艺。

用途：

● 半导体用ALD前驱体运输容器

● 半导体用高纯度TEOS、CVD材料运输容器

尺寸：50ml－200L；可根据客户需求开发